產(chǎn)品特點(diǎn)：
本機(jī)采用我公司專有的高速高精度頻率測量技術(shù)、計算機(jī)控制技術(shù)、高超的軟件編程技術(shù)及精湛的設(shè)計、加工與裝調(diào)水平開發(fā)與制造。引入模塊化設(shè)計理念，整機(jī)實(shí)現(xiàn)模塊組合，可為您提供最優(yōu)化的和最經(jīng)濟(jì)的產(chǎn)品。本產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光學(xué)鍍膜機(jī)、OLED 生產(chǎn)線、半導(dǎo)體 IC生產(chǎn)線及其它高精準(zhǔn)膜層厚度控制的鍍膜機(jī)。整機(jī)如下特點(diǎn)：
● 高速高精度測量。采用本公司特有的頻率測量技術(shù)，頻率測量分辨率為 0.002Hz（6MHz），測量速度為 10 次/S。
● 高穩(wěn)定度鍍膜速率控制。本機(jī)根據(jù)測量出的高精度的鍍膜速率與設(shè)定速率，通過PID運(yùn)算得出輸出功率數(shù)據(jù)，對鍍膜源輸出功率進(jìn)行精準(zhǔn)控制，實(shí)現(xiàn)高穩(wěn)定度的鍍膜速率控制。
● PID自整定功能。通過本機(jī)內(nèi)置的PID自整定功能，精確測算PID運(yùn)行參數(shù)為實(shí)現(xiàn)高穩(wěn)定度的鍍膜速率控制提供保障。
● 分段預(yù)熱控制。在鍍膜之前對鍍膜材料進(jìn)行分段預(yù)熱和勻熱。對材料進(jìn)行除氣和除雜，從而對也為實(shí)現(xiàn)高穩(wěn)定度的鍍膜速率控制提供保障。
● 終止膜厚控制。控制儀通過對樣品膜層厚度與設(shè)定厚度進(jìn)行比較，來控制樣品擋板或鍍膜源擋板，實(shí)現(xiàn)終止膜厚控制。
● 擋板控制。控制儀可以對所連接的樣品擋板、鍍膜源擋板及探頭擋板實(shí)現(xiàn)自動或手動的開關(guān)控制。
● 電子槍坩堝控制。本控制儀可通過輸入、輸出開關(guān)量接口對所連接的不同電子槍坩堝進(jìn)行選擇操作。
● 可編程自動化控制。通過本控制儀可對鍍膜的整個過程進(jìn)行程序編輯，以實(shí)現(xiàn)全自動鍍膜。
● 支持多種探頭。本控制儀可以連接雙晶片探頭、多晶片探頭以及帶擋板的探頭，并對相應(yīng)探頭實(shí)現(xiàn)控制。
● 支持多種鍍膜源。本控制儀可連接，電子槍、蒸發(fā)鍍膜源、磁控濺射靶和多弧源等鍍膜源，并對其實(shí)現(xiàn)控制與操作。
● 模塊式結(jié)構(gòu)。本控制儀中測量板、模擬量輸出板、開關(guān)關(guān)量輸出板、主控制器等實(shí)現(xiàn)模塊化設(shè)計，根據(jù)具體情況可以進(jìn)行任意組合或增減。甚至測量模塊可以實(shí)現(xiàn)高精度與普通精度模塊的混裝。
● 圖形化界面、觸屏操作。本控制儀全部采用圖形化界面，觸屏操作。具有操作便捷、顯示直觀易懂等特點(diǎn)，并可提供在線幫助。

1 產(chǎn)品規(guī)格
1.1 測量模塊

1.2 模擬量輸出模塊
輸出通道數(shù)量： 8
輸出電平標(biāo)準(zhǔn)： 0~10V 或 0~5V
輸出分辨率： 10mV
穩(wěn)定度： ±20mV
線性度： ±50mV
最大輸出電流： 5mA

1.3 開關(guān)量輸入輸出模塊
1.3.1 開關(guān)量輸入口：
輸入口數(shù)量： 12CH
輸入電壓標(biāo)準(zhǔn)： DC24V（4mA）
允許輸入范圍： 20.4~28.8V（紋波<5%）
輸入阻抗： 約 5.6KΩ
響應(yīng)時間： 20mS
1.3.2 開關(guān)量輸出口：
輸出口數(shù)量： 16CH
輸出類型： 繼電器觸點(diǎn)輸出：8CH； 晶體管集電極開路輸出：8CH
額定負(fù)載： DC12、24V（0.5A）
負(fù)載電壓范圍：10.2~26.4V
關(guān)斷漏電流： <0.1mA
響應(yīng)時間： <1mS(阻性負(fù)載)

1.4 鍍膜工藝程序編輯
程序數(shù)量： 50（控制儀中可編輯 50 個程序，可選擇運(yùn)行）
程序內(nèi)鍍膜層數(shù)： <=128 層
程序內(nèi)可設(shè)置循環(huán)次數(shù)：<60000 次
預(yù)置膜層數(shù)量： 50

1.5 顯示與操作
顯示器規(guī)格： 7 英寸 TFT 真彩液晶顯示屏
操作方式： 電容式觸摸屏
遠(yuǎn)程控制方式： RS485 通訊接口

1.6 其它參數(shù)
供電電壓： AC220V
消耗功率： <50W
機(jī)箱尺寸： 365x160x160mm
存儲溫度： -20~50℃
使用溫度： 5~35℃
環(huán)境溫度： <80%(相對溫度)不結(jié)露
海拔高度： 0~2000m

2 工作原理及系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
2.1 硬件結(jié)構(gòu)圖
本沉積控制儀內(nèi)部硬件由 1~4 塊測量PCB、控制 PCB、7 英寸彩色顯示器和供電電源組成。
測量 PCB：通過振蕩器連接傳感器探頭，用于測量晶片的振蕩頻率，通過頻率的變化量計算沉積速率和厚度。為控制 PCB 提供測量數(shù)據(jù)。本機(jī)最多可插入 4 塊測量 PCB，連接8 個傳感器探頭。
控制 PCB：通過數(shù)據(jù)總線讀取測量 PCB數(shù)據(jù)，通過計算處理對相應(yīng)鍍膜源進(jìn)行控制，實(shí)現(xiàn)沉積控制功能。本控制儀可同時實(shí)現(xiàn)六個鍍膜源的沉積控制。
顯示器：本機(jī)顯示器具有觸摸操作功能，本機(jī)的所有操作均可通過此顯示器進(jìn)行操作和設(shè)置。
供電電源：為本機(jī)其它部件供電。

2.2 工作原理
2.2.1 系統(tǒng)原理框圖
如下圖所示，本控制儀由測量及探頭控制模塊、探頭選擇與控制切換模塊、主鍍膜控制器控制模塊、共蒸鍍膜控制器控制模塊、鍍膜源選擇控制切換模塊和工藝沉積源控制模塊等組成。具體功能由以后章節(jié)分別介紹。

2.2.2 膜厚及鍍膜速率測量原理
如圖所示，石英晶體與振蕩器構(gòu)成一諧振回路，產(chǎn)生一穩(wěn)定的振蕩信號。新晶片的振蕩頻率為 6MHz,當(dāng)晶片上被鍍膜后，由于晶片重量增加其諧振頻率將會降低，此頻率變化由頻率計進(jìn)行檢測，根據(jù)頻率變化率與材料密度和材料聲阻等參數(shù)計算出膜厚值。最后由單位時間內(nèi)膜厚變化量計算出鍍膜速率。
膜厚儀上電后，頻率計啟動測量當(dāng)前頻率。當(dāng)'啟停控制'有效時對頻率變化量進(jìn)行計算，并計算膜厚值和膜厚速率。當(dāng)'清零控制'有效時，對當(dāng)前膜厚清零。
當(dāng)測量模塊選用高精度測量板時，由于此測量板采用恒溫晶體基準(zhǔn)源，所以在開機(jī)后要有大約 3~5 分鐘的預(yù)熱時間。

2.2.3 功率/速率沉積工作原理
2.2.3.1 功率/速率沉積控制原理

2.2.4 終止膜厚控制原理

如上圖所示，在鍍膜過程中將源膜厚值與終止膜厚值進(jìn)行比較，當(dāng)源膜厚測量值大于等于終止厚度時，自動關(guān)閉樣品擋板、關(guān)閉樣品旋轉(zhuǎn)并關(guān)閉膜厚源功率輸出。
在功率沉積和速率沉積方式下，如果終止膜厚設(shè)置為0，則關(guān)閉終止膜厚控制功能。

2.2.5 單層沉積方式

2.2.6 工藝控制多層鍍膜

如上圖所示，"工藝沉積控制器"讀取沉積工藝表中的層設(shè)置數(shù)據(jù)，根據(jù)層設(shè)置中的主鍍膜源和共蒸鍍膜源的預(yù)置膜層號，從"預(yù)置膜層表"中讀取沉積參數(shù)寫入相應(yīng)的"鍍膜源控制器"，然后啟動相關(guān)鍍膜的單層鍍膜功能，"鍍膜源控制器"根據(jù)寫入的參數(shù)完成相關(guān)源的單層沉積鍍膜，當(dāng)所有啟動的鍍膜源完成單層沉積后，"工藝沉積控制器"讀取下一層的設(shè)置數(shù)據(jù)，再將相關(guān)的沉積參數(shù)寫入"鍍膜源控制器"后啟動單層鍍膜。此過程反復(fù)進(jìn)行，直到完成沉積工藝中的全部膜層后，結(jié)束當(dāng)前沉積工藝的運(yùn)行。

2.2.6.1 程序運(yùn)行流程圖